Samsung sa tento rok poriadne rozbehol. Po tom ako spustil výrobu 512 GB eUFS 3.0 pamäťových čipov sa púšťa do ďalšieho dobrodružstva. Jeho fabriky začali s produkciou 12 GB DRAM modulov určených pre smartfóny.
Pamäťové čipy postavené na štandarde LPDDR4X spoločnosť vyrába 10 nm výrobným procesom, ktorý nasadili len minulý rok. Samsungu sa podarilo 12 GB čipy vyrobiť poskladaním (stacking) šiestich 16 Gb LPDDR4X čipov do jednej jednotky, ktorá je energeticky úsporná. Výsledný pamäťový čip je vďaka tomu hrubý len 1,1 milimetra.
Čo sa výkonu týka, tam sa Samsung nemá za čo hanbiť. Pamäťové čipy vykazujú prenosovú rýchlosť až 34,1 GB/s pri nižšej energetickej záťaži. To, ako Samsung postupne zvyšoval kapacitu a prenosovú rýchlosť modulov, si môžete pozrieť v tabuľke nižšie.
Nové čipy by sa mali objaviť v prvých zariadeniach už tento rok. Našim tipom je pochopiteľne nový Galaxy Fold, ako aj pripravovaný Samsung Galaxy Note 10.